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Interfacial segregation of dopants in fully silicided metal-oxide-semiconductor gates
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Applied Physics Letters, 86, 2005, 25 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |