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High‐power multi‐octave laterally diffused metal–oxide–semiconductor power amplifier with resistive harmonic termination
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IET Circuits, Devices & Systems |
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Personen und Körperschaften: | |
In: | IET Circuits, Devices & Systems, 13, 2019, 8, S. 1125-1133 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Institution of Engineering and Technology (IET)
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Schlagwörter: |